Samaun Samadikun, Ilmuwan Hebat, Penulis Puisi Petani Silikon

TEMPO.CO, Jakarta – Bapak Mikroelektronika Indonesia, Samaun Samadikun, hari ini menjadi Google doodle pada halaman utamanya. Samaun adalah seorang insinyur, pendidik, dan ilmuwan Indonesia.

Samaun juga salah satu penulis puisi Petani Silikon. Berikut ini petikan puisi yang dikutip dari laman Wikipedia. 

Petani Silikon

Kami adalah petani silikon 
Lahan kami adalah silikon 
Garapan kami adalah silikon 
Hasil kami adalah silikon.
Kami pupuk silikon dengan boron 
Kami pupuk silikon dengan fosfor
Kami cangkul silikon dengan plasma. Kami siram silikon dengan metal
Berjuta transistor tumbuh dengan subur. Beribu gerbang terkait dan terukur
Sinyal diubah menjadi informasi. Informasi dituai untuk sarapan rohani
Dan semua usaha untuk kemakmuran bangsa 
Dan semua kelelahan untuk keagungan manusia 
Dan semua hasil adalah hasil karunia-Nya 
Dan petani silikon terus berusaha.

Puisi itu muncul dalam lembar-lembar awal buku berjudul Profesor Samaun Samadikun Sang Petani Silikon Indonesia yang diluncurkan LIPI di gedung LIPI di Jalan Gatot Subroto, Jakarta, pada 11 Desember 2007. 

Silikon yang dimaksud dalam puisi itu bukanlah yang biasa dikenal awam sebagai zat untuk memperbesar bagian tubuh, seperti payudara dan bokong, atau untuk kebutuhan bedah plastik lainnya. Silikon yang ini untuk bidang IT dan computer science.

"Dia merintis gagasan silicon valley di Indonesia, tepatnya di Bandung, Jawa Barat. Namun gagasan itu sampai sekarang belum terwujud karena tidak ada dukungan," kata mantan Wakil Kepala LIPI Aprilani Sugiharto, yang menjadi ketua tim penyusun buku tersebut.

Samaun sendiri dikenal sebagai seorang dosen Institut Teknologi Bandung dan pendidik yang sangat menonjol sebagai teladan. Ia lahir di Magetan, Jawa Timur, hari ini, 85 tahun yang lalu. 

Samaun tercatat sebagai mahasiswa Jurusan Teknik Elektro di ITB pada awal 1950-an. Ia kemudian memperoleh gelar master pada 1957 dan doktor pada 1971. Gelar doktornya diperoleh dalam bidang teknik elektro dari Universitas Stanford di Amerika Serikat. 

Ia juga memperoleh postgraduate diploma bidang nuclear engineering dari Queen Mary, Universitas London, pada 1960. Pada 1975, ia bersama K.D. Wise menciptakan paten, US Patent No 3,888,708 yang bertajuk "Method for Forming Regions of Predetermined Thickness in Silicon", di Universitas Stanford. 

TRI ARTINING PUTRI